A Fuji Electric e Furukawa Electric Configuraram uma Associação de Pesquisa Tecnologia para o Próximo Dispositivo de Geração de Energia

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Furukawa Electric Co., Ltd (Presidente: Masao Yoshida; Sede: Chiyoda-ku, Tokyo) e A Fuji Electric Advanced Technology Co., Ltd. (Presidente: Naoya Eguchi; Sede: Hino-shi, Tokyo), uma investigação e desenvolvimento (R & D filial) da Fuji Electric Holdings Co., Ltd. (Presidente: Haruo Ito; Sede: Shinagawa-ku, Tokyo) anunciou hoje que as duas empresas iria criar uma associação de pesquisa de tecnologia para o próximo dispositivo de geração de energia para o desenvolvimento conjunto de nitreto de gálio (GaN) de potência dispositivos.
 
Furukawa Electric tem força em pesquisa básica em GaN enquanto A Fuji Electric estabeleceu a produção em massa e as tecnologias de confiabilidade. Ao complementar um ao outro com suas próprias vantagens, as duas empresas vai se esforçar para acelerar o tempo de colocação no mercado para a próxima geração de produtos de dispositivos de energia. Associações de pesquisa para mineração e Direito Manufacturing Technology no Japão foi revista este ano para permitir que as associações de pesquisa para incorporar e comercializar os resultados da investigação. Com o objetivo de ser a primeira associação a ser aprovado com a lei revista, a empresa tanto fez um pedido hoje para a fundação de uma associação de pesquisa de tecnologia para o próximo dispositivo de geração de energia. A tecnologia de associação de pesquisa está programado para ser inaugurado em julho de 2009 e pretende comercializar capacidade de GaN aparelhos em 2002.
 
1.  Objetivos
 
(1) Contribuir para o progresso da eletrônica de potência através do desenvolvimento de dispositivos de GaN de energia, que ajudam a economia de energia e proteção ambiental silício (Si) é usado atualmente como o material de esteio para dispositivos de energia. No entanto, considera-se que é impossível reduzir a perda de energia adicional, uma vez que já atingiu o limite. Portanto, novos materiais, tais como GaN e carboneto de silício (SiC) vêm chamando atenção. O SiC diodo Schottky (SBD ※ 1) já se encontra disponível no mercado, mas que é difícil criar um substrato de grande usando SiC devido a custos elevados. O dispositivo de GaN tem um grande potencial para ser usado para um dispositivo de comutação de alta velocidade e substituir com IGBT, devido às suas características superiores, como a alta tensão e de baixa perda. No entanto, ainda não foi além nível de pesquisa.
 
Enquanto isso, defeitos de cristal têm sido significativamente reduzido e desempenho do dispositivo melhorou consideravelmente nos últimos anos. Isso nos permite prototipar as fontes de alta eficiência de energia necessários para o abastecimento interruptor de modo de energia dentro de alguns anos. Ao tornar-se a primeira a oferecer o protótipo no mercado, a Fuji Electric Group pode fazer uma grande contribuição para o progresso da eletrônica de potência, bem como fazer um grande passo para a comercialização de dispositivos de energia de GaN.
 
(2) Acelerar o desenvolvimento da próxima geração de produtos, aproveitando as tecnologias das empresas tanto de core respectivos
 
Furukawa Electric tem feito progressos significativos na área de dispositivos de GaN e atraiu a atenção do mundo, como resultado de seu contínuo de I & D para transistores e diodos usando GaN (ver Figura 1).
 
A Fuji Electric Advanced Technology Co., Ltd., uma subsidiária de P & D da Fuji Electric Group, tem as principais tecnologias no desenvolvimento de dispositivos de energia (ver figura 2). O R & D de produtos de alimentação de dispositivos de aplicativos, incluindo inversores e fontes de alimentação, bem como muitos pesquisadores e engenheiros que estão envolvidos em projetos de dispositivos e processos diferentes.

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