Diodos Retificadores

O diodo Schottky-Barrier (SBD) Ultra Low-IR garante temperatura da junção de 175°C. Em comparação com a série com baixo IR convencional, dispõe de VF equivalente enquanto o IR é reduzido para 1 décimo ou menos, permitindo uma redução do risco de fuga térmica e confiabilidade melhorada em temperaturas mais altas. A série de diodos com […]

Power Supply Control ICs

Os Circuitos Integrados – PWM (PWM-ICs) com modo verde têm configurações de circuito internos com uma classificação 500V/750V; baixo ruído EMI por difusão de freqüência; freqüência de comutação linearmente reduzida para pouca carga com a baixa potência de espera (standby) com funções de proteção. Os Circuitos Integrados – Quasi-Resonant (Quasi-Resonant -ICs) com modo verde têm […]

MOSFETs de Potência

A Fuji Electric oferece um MOSFET de potência tipo planar de alto desempenho, fácil de usar, fácil de utilizar em projetos alcançada pela tecnologia da 2ª geração “Quasi-Plane-Junction”. Ele mantém tanto a baixa perda de potência e de ruído, menor RDS(on), dv/dt mais controlável na comutação pela resistência de gate, menor oscilação do VGS na […]

Dispositivos Automotivos

A Fuji Electric oferece Módulos IGBT customizados para o controle do motor de veículos híbridos ou veículos elétricos. Nós desenvolvemos recentemente o “Módulo Pacote-6 – 650V/400A, 650V/600A”, que possui como recurso um Líquido de Arrefecimento Direto do núcleo e um invólucro compacto livre de chumbo (Pb), oferecendo alta confiabilidade e uma longa vida útil. Nossos […]

Dispositivos SiC

SiC devices have excellent characteristics that realize high blocking voltage, low power dissipation, high-frequency operation and high-temperature operation. Power semiconductors that make use of SiC achieve significant reduction in energy consumption, and can be used to develop smaller and lighter products.

IGBT

O IGBT com chip da 6ª geração da Fuji Electric possui um alto desempenho e tem um design compacto que proporciona uma maior potência de saída. Existem módulos ambientalmente sustentáveis e com fácil montagem, opções sem solda, e em conformidade com a norma RoHS. O ligamento na comutação do IGBT possui características que incluem: melhoria […]

A Fuji Electric Participa na PCIM South America 2014

A linha completa de Semicondutores da FUJI ELECTRIC será apresentada no estande da TCT BRASIL (#1421) na “PCIM South America 2014”, nos dias 14 e 15 de outubro de 2014. A conferência será realizada no Novotel Center Norte, em São Paulo – Brasil, onde os participantes irão aprender sobre uma ampla variedade de tecnologias de […]

A Fuji Electric vai Co-apresentar com a TCT Brasil na FIEE Elétrica 2013

A Fuji Electric vai co-apresentar na FIEE Elétrica 2013 (A 27ª feira Internacional da Indústria Elétrica, Energia, Eletrônica e Automatização) com a TCT Brasil no Salão de Exposições do Anhembi, em São Paulo, Brasil. Você vai ver módulos IGBT e outros produtos inovadores.   FIEE é  um dos maiores shows de comércio da indústria elétrica […]

Fuji Electric Estabelece Sede Corporativa em São Paulo, Brasil

Edison, NJ – Fuji Electric Corporation of America anunciou hoje que vai estabelecer uma sede corporativa em São Paulo, Brasil, como parte de seu compromisso contínuo para aumentar as suas atividades de negócios na América Latina. Com concentração no Brasil, Peru, Chile e Colômbia, os esforços da Fuji Electric na América do Sul começou na […]

SmartPower Stack ™ Consortium anuncia seleção da National Instruments Single-Board RIO Uso Geral Inversor Controller

  Nuremberg, Alemanha – (Marketwire – Nov 28, 2012) – O SmartPower Stack ™ Consortium, formado por Methode Electronics, Inc. (NYSE: MEI), Inc. SBE, Fuji Electric Corp of America e AgileSwitch, LLC anunciou hoje a seleção da National Instruments (Nasdaq: NATI) ("NI") Single-Board RIO Uso Geral _ Controller (GPIC) como o sistema de controle integrado […]